芯片抛光液

化学机械抛光(CMP)是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液又是CMP工艺中的*核心的材料。根据抛光对象不同，新创纳公司开发出对应氧化硅介电材料、钨、多晶硅、GST相变材料、铜及铜阻挡层的抛光液。抛光液中*关键的材料由公司自主研发生产，拥有从磨料到配方全工序的调节能力和产品定制化的条件。可为客户提供优质，稳定的服务和供应。

氧化硅抛光液DI-109

TEOS的RR可达到4500A/min，并可通过下压力和稀释射频进行调节;300毫米晶圆边缘去除3毫米时，不均匀度小于3%。

稀释比:1:4~1:9

金属离含量: Ck5ppm, B<1ppm, Na<lppm, Mgs1pm, A<1ppm, Ca0.5ppm, Ti0.25ppm, Cr<1ppm, Fe<1ppm, Nis1ppm, Cur0.1ppm, Zn0.1ppm, Zr<0.1ppm

多晶硅抛光液Poly-306

CMP后薄膜应能保持在适当位置;无残留金属离子且缺陷极少

指标:稀释比:1:4

金属含量: Na500(pb), Mgs100(ppb), Al100(pb), Ks120(pb), Cas500(pb), Tis100 (pb), Crs100(ppb), Mns100(pb), Fes100(pb). Nis100(pb), Cus100(pb).Zn≤100(ppb),Zr≤100(ppb),Ag≤100(ppb),Pb≤100(ppb)

铜抛光液HC-WF001B

中性的高纯胶体二氧化硅:高且可调的铜去除率:高选择比CuTaN.CuTEOS):易清洗，低侵蚀:无腐蚀，缺陷低:优秀的表面光洁度，低Ra:保质期长:环境友好型化学品指标:Cu/TaN和Cu/TEOS选择比:>2000稀释比:4x

铜阻挡层(TaN/Ta)抛光液

健性的高纯胶体二氧化硅;高且可调的To/TaN去除率:易洁洗，低侵蚀，不易残留化学品;无腐蚀，缺陷低;优秀的表面光洁度，低Ra:保质期长，抛光液寿命长;环境友好型化学品

TaN/Ta与Cu选择比:>2

稀释比(体积比):1L抛光液:5mL双氧水(30%)

金R含量: K3500ppm, Na-25ppm, A1pm, Cuslpm, Mgr1ppm, Crlppm, Mn lppm, Fer1ppm, Nslppm, Znr1pam, Cd1ppm, Sb lpm, Po51pm, Ti51Ppm, Co51.Ca<1重金属(除K，Na外)总含量<2

包装方式

1、包装方式:25KG、250KG

2、保存条件:贮存温度为5-40°C